본 발명은 다중 문턱 전압 소자들을 포함한 4진법 논리 인버터에 관한 것으로서, 서로 직렬로 접속되는 제1 제1형소자 및 제2 제1형소자와, 상기 제1 제1형소자와 제2 제1형소…
본 발명의 실시예는 스페이서 층을 이용하여 음의 미분 저항의 크기를 가변시킬 수 있도록 구성된 스페이서 층을 이용한 이종 접합 기반의 음미분저항 소자에 관한 것으로서, 게이트 층…
본 발명은 그래핀 엣지부와 반도체가 접촉되지 않는 구조를 가지는 그래핀 반도체 접합 소자에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 상에 위치하되…
본원은 기판, 상기 기판 상에 형성된 2 차원 반도체 물질, 상기 2 차원 반도체 물질 상에 형성된 고분자 물질, 및 상기 고분자 물질 상에 형성된 전극을 포함하는 반도체 소자에…
본 발명에 따른 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 제조방법은 그래핀층 상에 서로 대향되도록 소스 전극 및 테스트용 전극이 형성되고, 드레인 전극은 그래핀층의 중심 영역 부위에서…
본 발명에 따른 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 제조방법은 그래핀층 어레이 상에 소스 전극들이 각각 형성되고, 하나의 드레인 전극을 그래핀층 어레이 및 소스 전극들과 수직한 …
본 발명은 시간-도메인 반사 측정 신호의 주파수 특성 분석 방법과 장치 및 이를 구현하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예…
쇼트키 접합 그래핀 반도체를 이용하는 그래핀 삼진 배리스터가 개시된다. 기판 상에 P 타입 및 N 타입으로 도핑되어 두 개의 다른 페르미 레벨을 가지며 PN접합을 형성한다. 따라서…
그래핀을 이용하는 광전소자가 개시된다. n형으로 도핑된 반도체 기판 상에 단일층 그래핀 채널이 형성된다. 그래핀 채널의 일단부는 소스 전극과 연결되고, 드레인 전극과는 물리적으로…
그래핀을 채널 영역으로 이용하는 그래핀 트랜지스터 및 이를 이용하는 논리소자가 개시된다. 그래핀 트랜지스터의 그래핀 채널 상부에는 도핑 금속층이 구비된다. 도핑 금속층은 그래핀보다…