반도체 소자 및 이의 제조 방법
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
출원번호 : 1020190075960 / 20190625
등록번호 : 1021861950000 / 20201127

광주과학기술원,성균관대학교산학협력단 유원종,김창식,악덕무,이병훈

초록

본원은 기판, 상기 기판 상에 형성된 2 차원 반도체 물질, 상기 2 차원 반도체 물질 상에 형성된 고분자 물질, 및 상기 고분자 물질 상에 형성된 전극을 포함하는 반도체 소자에 있어서, 상기 고분자 물질의 산화도는 표준 수소 전극(SHE) 대비 0.3 V 이상인 것인, 반도체 소자에 관한 것이다.

대표청구항

기판;
상기 기판 상에 형성된 2 차원 반도체 물질;
상기 2 차원 반도체 물질 상에 형성된 고분자 물질; 및
상기 고분자 물질 상에 형성된 전극;
을 포함하는 반도체 소자에 있어서,
상기 고분자 물질의 산화도는 표준 수소 전극(SHE) 대비 0.3 V 이상이고,
상기 고분자 물질은 상기 2 차원 반도체 물질 및 상기 전극과 오믹 접촉(Ohmic contact)하고,
상기 고분자 물질은 상기 전극과 접촉되어 n 타입 또는 p 타입으로 도핑되는 것인,
반도체 소자.

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