본 발명은 다중 문턱 전압 소자들을 포함한 4진법 논리 인버터에 관한 것으로서, 서로 직렬로 접속되는 제1 제1형소자 및 제2 제1형소자와, 상기 제1 제1형소자와 제2 제1형소…
본 발명의 실시예는 스페이서 층을 이용하여 음의 미분 저항의 크기를 가변시킬 수 있도록 구성된 스페이서 층을 이용한 이종 접합 기반의 음미분저항 소자에 관한 것으로서, 게이트 층…
본 발명은 그래핀 엣지부와 반도체가 접촉되지 않는 구조를 가지는 그래핀 반도체 접합 소자에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 상에 위치하되…
본 발명은 온도 자극반응성 공중합체, 이를 포함하는 나노섬유 구조체 및, 나노섬유 구조체 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 특정한 임계하한온도를 기준으로 고분자의 수축 …
쇼트키 접합 그래핀 반도체를 이용하는 그래핀 삼진 배리스터가 개시된다. 기판 상에 P 타입 및 N 타입으로 도핑되어 두 개의 다른 페르미 레벨을 가지며 PN접합을 형성한다. 따라서…
그래핀을 채널 영역으로 이용하는 그래핀 트랜지스터 및 이를 이용하는 논리소자가 개시된다. 그래핀 트랜지스터의 그래핀 채널 상부에는 도핑 금속층이 구비된다. 도핑 금속층은 그래핀보다…