쇼트키 접합 그래핀 반도체를 이용하는 그래핀 삼진 배리스터가 개시된다. 기판 상에 P 타입 및 N 타입으로 도핑되어 두 개의 다른 페르미 레벨을 가지며 PN접합을 형성한다. 따라서, 게이트 전극층에 전압을 가하여 그래핀 채널층의 페르미 레벨을 움직여 쇼트키 장벽의 높이를 조절하여 전류를 발생시킨다. 또한, 쇼트키 장벽의 높이는 그래핀 채널의 도핑농도에 따라 조절된다. 즉, 인가되는 게이트 전압에 따라 쇼트키 장벽 높이는 변경되고 이를 통해 전류의 흐름이 변경된다. 또한, 그래핀 채널의 도핑 농도를 조절하여 쇼트키 장벽 높이를 조절할 수 있다. 따라서, 게이트 전압을 조절 하여 높은 전류비를 특성을 가지므로 로직 회로에 적용할 수 있는 그래핀 삼진 배리스터로 사용될 수 있다.