본 발명의 실시예는 스페이서 층을 이용하여 음의 미분 저항의 크기를 가변시킬 수 있도록 구성된 스페이서 층을 이용한 이종 접합 기반의 음미분저항 소자에 관한 것으로서, 게이트 층; 상기 게이트 층 상부에 형성되는 게이트 유전체 층; 상기 게이트 유전체 층의 상부에 일정 간격 이격되어 설치되는 제1 전극 층과 제2 전극 층; 상기 게이트 유전체 층 상부의 상기 제1 전극 층과 제2 전극 층 사이의 영역에서 이종 접합되는 제1 반도체 층과 제2 반도체 층; 및 상기 제1 반도체 층과 제2 반도체 층 사이에 형성된 음미분저항 가변을 위한 스페이서 층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 음미분저항 소자를 제공한다.