하이브리드형 저항성 메모리 소자, 작동 방법 및 그 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 하이브리드형 저항성 메모리 소자는 적어도 2개 이상의 저항성 메모리부를 포함하며, 상기 저항…
스위칭 장치 및 이를 이용하는 가변 저항 메모리 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 장치는, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에…
스위칭 소자인 문턱 스위칭층을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법이 개시된다. 저항 변화 메모리는 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭과 상부 전극의 산화에 의해 형성된 …
저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 저항 변화 메모리 소자는 단열히터층의 역할을 하는 칼코게나이드 화합물층을 저항 변화층의 상부에 도입함에 의해 …
그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자 및 이의 동작방법이 개시된다. 본 발명에 의한 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자는 그래핀층과 산화물층 사이의 산화/환원 반응을 이용함으…
3차원 저항 변화 메모리 소자, 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이 및 전자제품을 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 비트라인을…
저항 변화 메모리 소자 및 저항 변화 메모리 소자 크로스 포인트 어레이를 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 하부 전극과 상부 전극을 구비한다. 상기 하부 및 상부 전극들…
본 발명은 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판형성단계; 상기 기판상에 메탈을 증착시켜 하부전극을 형성…
본 발명은 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판상에 PCMO(Pr1-XCaXMn…
비휘발성 저항 변화 메모리 소자를 제공한다. 상기 소자는 제1 전극과 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 산화물막이 위치한다. 상기 산화물막과 상…