본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되며 InxGa(1-x)N(0 ≤ x 003c# y)으로 이루어지는 양자장벽층과 InyGa(1…
본 발명은 보다 상세하게는 희생층 상의 나노 와이어를 이용하여 반도체층을 성장시킨 후 희생층 식각을 통하여 기판을 제거한 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명…
본 발명은 다중 양자 우물 구조의 활성층을 구비한 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 기판상에 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층된 …
