전 방향에서 고반사도를 갖는 발광다이오드 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제1도전형 질화물 반도체…
본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되며 InxGa(1-x)N(0 ≤ x 003c# y)으로 이루어지는 양자장벽층과 InyGa(1…
