본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되며 InxGa(1-x)N(0 ≤ x 003c# y)으로 이루어지는 양자장벽층과 InyGa(1…
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 발광구조물 상에 형성되며, 광 투과성을 갖는 투…