본 발명은 실리콘 DBR 구조가 집적된 광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 알루미늄 조성비에 따라 서로 다른 굴절률을 갖는 두 반도체 물질층이 교번되게 적층되어 형성된 하부반사기층과, 상기 하부반사기층의 상부에 형성된 n형 오믹접촉층과, 상기 n형 오믹접촉층의 상부에 형성되며, 중앙부에 전류주입구가 형성된 적어도 한 층의 산화가능층을 통해 주입된 전자와 정공이 결합하여 빛을 발생하는 활성층과, 상기 활성층의 상면에 형성된 p형 오믹접촉층과, 상기 p형 오믹접촉층의 상부에 형성되고, 서로 다른 굴절률을 가진 적어도 한 층의 제1 및 제2 실리콘층이 교대로 순차 적층되는 실리콘 DBR(Distributed Bragg Reflector) 구조로 이루어진 상부반사기층과, 상기 n형 및 p형 오믹접촉층의 상부에 각각 형성된 n형 및 p형 전극을 포함하되, 상기 제1 실리콘층은 상기 제2 실리콘층보다 낮은 굴절률을 갖으며, 상기 p형 오믹접촉층 상에 경사각을 조절하여 굴절률이 변화되도록 실리콘을 이용하여 경사지게 증착되며, 상기 제2 실리콘층은 상기 p형 오믹접촉층의 평면에 수직하게 증착됨으로써, 실리콘을 비스듬하게 혹은 수직으로 증착하여 형성된 실리콘 DBR 구조의 큰 굴절률차로 인해 적은 층수로 제조가 가능하며, 공정시간 및 비용을 단축할 수 있는 효과가 있다.