기판 상에 제1 마스크층을 형성하고 상기 제1 마스크층 상에 제2 마스크층을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크층 및 상기 제2 마스크층을 건식 식각하여 상기 기판의 일부가 오프닝된 영역을 형성하는 단계; 상기 오프닝된 영역에서 상기 제1 마스크층을 선택적으로 습식 식각하여 기판의 일부가 노출된 리세스 영역을 형성하는 단계; 상기 리세스 영역에 제3 마스크층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 마스크층 측면의 노출된 기판으로부터 질화물계 반도체를 성장시켜 상기 오프닝된 영역으로 성장을 확장하는 단계를 포함하는, 고품위 질화물계 반도체 성장방법이 제공된다.본 발명에 따르면, 기판과 질화물계 반포체의 계면에서의 격자상수 불일치에 따른 관통 전위를 획기적으로 줄이고 공정 실패율을 감소시키며, 박막의 결함을 최소화하여 광소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.