- 광응용
성장용 기판, 이를 이용한 발광 다이오드 및 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
SUBSTRATE FOR GROWTH, LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN LIGHT EMITTING DIODE
출원번호 : 1020130130811 / 20131031
등록번호 : 1015230840000 / 20150519
초록
성장용 기판, 이를 이용한 발광 다이오드 및 질화갈륨 발광 다이오드 제조방법이 개시된다. 상술한 성장용 기판을 이용한 발광 다이오드 및 그의 제조방법은 마스크패턴을 이용한 선택적 2단계 성장 방식을 통하여 결정결함이 감소되고, 화학적 식각(chemical lift-off)을 통하여 기판으로부터 분리될 때 씨드층 손실이 감소되어 양질의 질화갈륨 에피층을 제공할 수 있다.