본 발명에 실시예에 따른 발광 다이오드 칩은, 하나의 최소사이즈 단위 칩의 기저이며, 제1 영역과 제2 영역으로 분할된 기판, 기판 전면(whole surface)에 배치되는 제…
기판 상에 제1 마스크층을 형성하고 상기 제1 마스크층 상에 제2 마스크층을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크층 및 상기 제2 마스크층을 건식 식각하여 상기 기판의 일부가 오프닝된…
발광다이오드 및 이의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 기판 상에 형성된, 제1 n-GaN층, 제1 활성층, 제1 p-GaN층이 순차적으로 적층된 제1 발광구조물, 상기 제1 n-…
성장용 기판, 이를 이용한 발광 다이오드 및 질화갈륨 발광 다이오드 제조방법이 개시된다. 상술한 성장용 기판을 이용한 발광 다이오드 및 그의 제조방법은 마스크패턴을 이용한 선택적 …
다중 접합 구조를 가지는 발광 다이오드 및 이의 형성방법이 개시된다. 각각의 발광 구조체는 막대 형상 등을 가지고, p형 반도체층을 중심으로 2개의 발광층들이 형성된다. 또한, p…