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기 술 명
메모리 소자 및 그 제조방법
연 구 자
황현상(신소재공학부)
등록번호
10-1025656-00-00
출원번호
10-2009-0054237
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 메모리 소자를 구성하는 저항변화층과 전극간 접촉면적, 전극간 저항변화층의 길이를 변화시킴으로써 저항변화층의 임계전압을 변화시킬 수 있다. 또한, 복수개 형성되는 저항 변화층의 두께를 조절하여 각 층의 저항변화 특성을 이용한 저항변화 메모리(ReRAM) 소자를 제공할 수 있다.

발명효과

본 발명의 메모리 소자에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. 첫째, 횡방향 저항변화 메모리 소자를 제작함으로써 소자의 액티브(active) 면적이 두께에 의해 제어되므로 리소그래피에 의해 형성되던 집적한계를 넘을 수 있다. 둘째, 횡방향의 금속 전극 사이에 저항변화층을 다층으로 형성하여 멀티 비트 데이터를 저장할 수 있다. 셋째, 횡방향의 금속 전극의 상하방향의 폭을 변화시켜 금속 전극간 저항변화층의 길이를 다르게 하여 동작 전압/전류와 ON/OFF 저항비를 변화시킬 수 있다. 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

대표청구항

기판 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며, 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 사다리꼴 형상을 하고, 인가 전압에 따른 저항변화에 의해 데이터를 기록 또는 소거하는 정보저장부; 상기 절연층 상부 및 상기 정보저장부의 일측면에 형성되고, 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상을 가지는 제1 전극; 및 상기 정보저장부를 중심으로 상기 제1 전극과 대향하고, 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상을 가지는 제2 전극을 포함하고, 상기 기판에 평행한 방향으로의 전압의 인가에 의해 상기 정보저장부의 저항은 변화하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.