IT, 컨텐츠

광주과학기술원의 IT, 컨텐츠의 유용한 기술정보를 검색 및 문의하실 수 있습니다.

기 술 명
에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법
연 구 자
황현상(신소재공학부)
등록번호
10-0727650-00-00
출원번호
10-2006-0053107
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 있어서, 기판 위에 에피택시 버퍼층을 형성하고 그 위에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억소자의 제조 방법 및 비휘발성 기억소자에 관한 것이다. 특히 저항변화를 이용한 저항성 메모리(Resistance RAM, 'ReRAM') 소자의 신뢰성을 개선하기 위한 단결정 산화막을 형성하기 위하여 실리콘 기판 위에 질화티타늄(TiN)을 에피택시로 성장시킨다. 본 발명에 따르면 단결정 산화막을 포함하는 비휘발성 기억소자를 용이하게 제작할 수 있어 비휘발성 반도체 기억소자의 저항 변화값을 극대화하고 균일하고 안정적인 반도체 기억소자의 동작 특성을 확보할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

발명효과

본 발명에 따라 에피택시 버퍼층을 기판 위에 형성함으로써, 저장성 비휘발성 기억소자에 있어서 단결정 산화막이 용이하게 증착되도록 하여 기억소자의 저장 변화의 값을 극대화하고, 균일하고 안정적인 동작 특성을 부여하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자와 그 제조방법을 통하여, 스위치 또는 동작 특성 등이 우수한 단결정 산화막을 가지는 저항성 메모리 소자(ReRAM)가 차세대 기가-테라 비트급 메모리로 상용화될 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

비휘발성 기억소자에 있어서, 기판 위에 에피택시 버퍼층을 형성하고 그 위에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자.