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기 술 명
플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조 방법
연 구 자
황현상(신소재공학부)
등록번호
10-0330840-00-00
출원번호
10-2000-0015830
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

본 발명은 N2O 플라즈마 처리를 이용한 고품질의 n-형 질화갈륨(GaN) 계열 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 기판 위에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성한 다음, 실리콘을 도핑하여 n-형 질화갈륨 박막을 형성하는 제 1 단계; n-형 질화갈륨 박막에 기설정된 소정 시간 동안 N2O 플라즈마 처리를 수행하는 제 2 단계를 포함하여 플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조함으로써, 고품질의 n-형 질화갈

발명효과

본 발명에 의한 N 2 O 플라즈마 처리는 고품질의 n-형 질화갈륨 박막을 제조함으로써 우수한 오믹접촉 특성을 구현할 수 있게 됨으로써, 우수한 특성을 갖는 질화갈륨 계열의 광소자나 전자소자를 제작할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 의한 N 2 O 플라즈마 처리를 할 경우 후속열처리를 행하지 않고도 우수한 오믹접촉 특성을 보여줄 수 있게 됨으로써 질화갈륨 계열의 소자제작에 있어서 안정성 및 경제성을 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, N 2 O 플라즈마 조건에 따라서 박막의 전자농도와 비저항 값을 임의로 조절할 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조방법에 있어서, 기판 위에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성한 다음, 실리콘을 도핑하여 n-형 질화갈륨계열 박막을 형성하는 제 1 단계; 상기 n-형 질화갈륨 박막에 기설정된 소정 시간 동안 N 2 O 플라즈마 처리를 수행하는 제 2 단계를 포함하는 플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조방법.