IT, 컨텐츠

광주과학기술원의 IT, 컨텐츠의 유용한 기술정보를 검색 및 문의하실 수 있습니다.

기 술 명
자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성방법
연 구 자
정건영(신소재공학부)
등록번호
10-1144915-00-00
출원번호
10-2008-0124280
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

간단한 방법을 이용하여 선명한 패턴의 형성이 가능한 자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성방법이 개시되어 있다. 상기 패턴 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴들 사이에 노출된 기판 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계, 상기 기판 상의 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 자기조립단분자 패턴을 형성하는 단계 및 상기 자기조립단분자 패턴이 구비된 기판 상에 전극 잉크를 도포하여 전극패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

발명효과

소수성 작용기를 구비하는 자기조립단분자 패턴과 상기 자기조립단분자 패턴들 사이에 친수성 영역이 노출된 기판을 형성하여 상기 기판 상의 친수성 영역에 전극 패턴을 형성하였다. 그 결과, 선명한 전극 패턴이 형성될 수 있으며, 간단한 공정을 이용하여 전도성 고분자와 같은 가공성이 어려운 물질을 패터닝할 수 있다.

대표청구항

기판 표면을 친수성으로 처리하는 단계; 상기 기판 상에 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴들을 제외한 기판의 친수성 표면 상에 소수성 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴들을 제거하여 소수성 자기조립단분자 패턴들을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴들 하부의 친수성 표면을 노출시키는 단계; 및 상기 소수성 자기조립단분자 패턴들이 구비된 기판 상에 친수성 전극 잉크를 도포하여, 상기 소수성 자기조립단분자 패턴들 사이의 친수성 표면 상에만 접하는 나노 전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성방법.