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기 술 명
바텀 게이트형 산화아연 박막 트랜지스터의 형성방법
연 구 자
장재형(정보통신공학부)
등록번호
10-0973642-00-00
출원번호
10-2008-0036663
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

바텀 게이트형의 구조를 가지고, 산화아연 반도체를 채널로 이용하는 박막 트랜지스터의 형성방법이 개시된다. 채널로 이용되는 산화아연 반도체층에 수소를 공급하기 위해 산화아연 반도체층 하부에 게이트 유전막으로 실리콘 질화막을 형성한다. 실리콘 질화막은 소정 농도의 수소를 포함한다. 수소의 농도는 실리콘 질화막의 굴절률로 나타난다. 굴절률이 높은 경우, 실리콘 질화막 내의 수소의 농도는 증가한다. 열처리가 수행되는 경우, 실리콘 질화막 내의 수소는 산화아연 반도체층으로 이동하고, 계면 및 채널의 결함을 치유하도 도판트로 작용한다. 따라서, 정상적인 트랜지스터 특성을 얻을 수 있다.

발명효과

본 발명에 따르면, 열처리를 통해 수소는 게이트 유전막으로부터 산화아연 반도체층으로 이동한다. 따라서, 산화아연 반도체층의 계면 결함은 치유되고, 산화아연 반도체층의 채널 영역의 결정결함도 치유된다. 또한, 종래에 비해 채널층 상부로부터 수소가 공급되는 구조이므로 트랜지스터의 동작에 기여하는 채널 영역에서의 전기적 특성은 향상된다.

대표청구항

게이트 전극이 형성된 기판 상에 수소를 함유하는 게이트 유전막을 형성하는 단계; 상기 게이트 유전막 상에 산화아연 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 유전막 및 상기 산화아연 반도체층이 형성된 구조물을 열처리하여 상기 게이트 유전막으로부터 상기 산화아연 반도체층으로 수소를 공급하는 단계를 포함하는 바텀 게이트형 산화아연 박막 트랜지스터의 형성방법.