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기 술 명
고압 수소 열처리를 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자 및 이의 제조 방법
연 구 자
이탁희(신소재공학부)
등록번호
10-1229804-00-00
출원번호
10-2011-0043138
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

고압 수소 열처리를 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 고압 수소 열처리를 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자는 p형 기판, 상기 p형 기판 상에 형성된 도핑 산화막, 상기 도핑 산화막 상에 형성된 나노선 및 상기 나노선 양단에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 도핑 산화막은 고압 수소 열처리에 의해 주입된 양성자를 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자를 포함한다. 따라서, 고압 수소 열처리를 통하여 산화막 내에 양성자를 주입하여 도핑 산화막을 형성하므로 비교적 저온(400℃ 이하)에서의 열처리가 가능하고 나노 재료들과 소자에 열 손상을 주는 영향을 줄일 수 있다. 또한, 상보성 금속 산화물 반도체 소자와 호환 가능할 수 있다.

발명효과

본 발명에 따르면, 고압 수소 열처리를 통하여 산화막 내에 양성자를 주입한다. 따라서 비교적 저온(400℃ 이하)에서의 열처리를 통해 나노 재료들과 소자에 주는 열 손상의 영향을 줄일 수 있다. 또한, 상보성 금속 산화막 반도체 소자(CMOS - Complementary Metal Oxide Semiconductor)와 호환 가능할 수 있다. 다만, 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

대표청구항

p형 기판; 상기 p형 기판 상에 형성된, 두께 30nm 내지 100nm의 도핑 산화막; 상기 도핑 산화막 상에 형성된 나노선; 및 상기 나노선 양단에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 도핑 산화막은 2기압 내지 20기압에서 고압 수소 열처리하여 주입된 양성자를 포함하며, 상기 주입된 양성자는 상기 p형 기판에 인가되는 전압의 극성에 따라 상기 나노선의 전기 전도 문턱전압을 조절하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자.