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기 술 명
분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드 및 그 제조방법
연 구 자
이동선(정보통신공학부)
등록번호
10-1103639-00-00
출원번호
10-2010-0123262
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

본 발명은 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판, n형반도체층, 활성층, p형반도체층을 포함하여 이루어진 자외선 발광다이오드에 있어서, 상기 p형반도체층 상부에 질화알루미늄(AlN) 또는 질화실리콘(Si3N4)과 이산화규소(SiO2)가 교대로 적층되어 형성된 분산브라그 반사층; 상기 분산브라그 반사층의 일부를 식각하여 형성된 p형 전극;을 포함하여 이루어지며, 상기 자외선 파장이 210nm 내지 230nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 18nm 내지 20nm, 상기 질화실리콘의 두께는 23nm 내지 24nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 33 내지 35nm인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래와 달리, 질화알루미늄 또는 질화실리콘과 이산화규소 각각의 층에 대해, 자외선 파장에 따라 두께와 적층수를 최적화함으로써, p형반도체층 및 p형전극에서의 자외선 흡수를 방지할 뿐만 아니라, 기판쪽으로 자외선을 반사시켜, 출사되는 발광효율을 현저히 개선시킬 수 있는 장점이 있다.

발명효과

본 발명의 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드 및 그 제조방법에 따르면, 질화알루미늄, 질화실리콘 및 이산화규소를 교대적층하여 분산브라그반사층을 형성함으로써, 간단한 공정으로 광 추출효율을 현저히 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래와 달리, 질화알루미늄 또는 질화실리콘과 이산화규소 각각의 층에 대해, 자외선 파장에 따라 두께와 적층수를 최적화함으로써, p형반도체층 및 p형전극에서의 자외선 흡수를 방지할 뿐만 아니라, 기판쪽으로 자외선을 반사시켜, 출사되는 발광효율을 현저히 개선시킬 수 있는 장점이 있다.

대표청구항

기판, n형반도체층, 활성층, p형반도체층을 포함하여 이루어진 자외선 발광다이오드에 있어서, 상기 p형반도체층 상부에 질화알루미늄(AlN) 또는 질화실리콘(Si3N4)과 이산화규소(SiO2)가 교대로 적층되어 형성된 분산브라그 반사층;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드