IT, 컨텐츠

광주과학기술원의 IT, 컨텐츠의 유용한 기술정보를 검색 및 문의하실 수 있습니다.

기 술 명
수직형 산화아연 발광소자 및 그 제조방법
연 구 자
박성주(신소재공학부)
등록번호
10-1136877-00-00
출원번호
10-2009-0037733
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

레이저 리프트-오프(lift-off) 기술을 이용하여 제조한 수직형 산화아연 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 사파이어 기판과 제1 클래드층 사이에 레이저를 조사하여 기판을 분리시킴으로써 수직형 구조를 갖는 산화아연 발광소자를 구현할 수 있다. 또한, 활성층에서 발생되는 빛의 흡수를 차단하도록 제1 클래드층 일부를 식각하여 광 추출효율을 높인 수직형 산화아연 발광소자를 구현할 수 있다.

발명효과

본 발명의 수직형 산화아연 발광다이오드에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. 첫째, 발광다이오드가 수직형 구조이기 때문에 칩의 면적을 줄일 수 있어, 웨이퍼 당 칩 생산량을 크게 향상시킬 수 있다. 둘째, 절연체인 사파이어 기판을 제거하기 때문에, 열 및 정전기의 방출이 용이하게 수행되어 대 전류에서도 소자의 구동이 가능하게 되어 단일 소자에서도 높은 휘도와 광 출력을 얻을 수 있다. 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

대표청구항

기판 상에 제1 클래드층, MgxCdyZn1-x-yO(0