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기 술 명
산화아연 박막 및 산화아연 기반 발광소자의 제조방법
연 구 자
박성주(신소재공학부)
등록번호
10-1089585-00-00
출원번호
10-2009-0024758
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

유기금속 화학기상 증착(MOCVD)법을 이용하여 형성된 산화아연 박막층 및 이의 제조방법이 개시된다. 고품질의 박막을 형성하기 위해 계면활성제를 도입함으로써 박막의 수평(lateral) 방향 성장이 용이해진다. 카드뮴 등의 계면활성제는 기판 또는 하부 막질 상의 댕글링 본드와 선결합하고, 산화아연 박막이 결정성을 가질 수 있으며, 하부 기판 또는 막질과 안정적인 결합 및 성장을 하도록 유도한다.

발명효과

본 발명의 산화아연 박막 및 산화아연 기반 발광소자 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. 첫째, 산화아연의 유기금속 화학기상 증착(MOCVD)시 반응과정에 카드뮴등의 계면활성제를 도입함으로써 산화아연 박막의 수평성장이 잘 이루어 질 수 있다. 둘째, 산화아연 기반의 발광소자를 제조시 계면활성제를 사용함으로써 박막내 공공(vacancy)이나 침입형(interstitial) 원자등의 결함(defect) 농도를 감소시킴으로써 발광특성이 우수한 발광소자를 제조할 수 있다. 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

대표청구항

기판을 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 산화아연 박막층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 산화아연 박막층의 형성은 상기 기판 상에 계면활성제를 도입하여 달성하며, 상기 계면활성제는 카드뮴(Cd)이고, 상기 기판 상에 산화아연 박막층을 형성하는 단계는 유기금속 화학기상 증착(MOCVD)법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법.