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기 술 명
탄소나노튜브 주형의 형성방법
연 구 자
김원배(신소재공학부)
등록번호
10-0982092-00-00
출원번호
10-2007-0098304
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

미세접촉인쇄용 스탬프 및 나노 임프린팅 식각 공정에 사용되는 탄소구조물 주형의 제작 방법이 개시된다. 2회에 걸친 양극산화공정을 통해 규칙적인 배열을 가지는 포어 상에 양극산화물인 양극산화알루미늄을 성장시킨다. 성장된 양극산화알루미늄 표면에 탄소나노층을 형성하고, 표면에 대해 이온 밀링을 수행하여 탄소구조물 형성한다. 이어서, 양극산화알루미늄에 대해 부분 식각을 수행하여 양극산화알루미늄과 단차를 가진 탄소구조물 주형을 제작한다.

발명효과

본 발명에 따르면, 나노 미세접촉인쇄용 스탬프 및 나노 임프린트 식각 공정에 사용되는 주형으로서 수직배향된 탄소구조물을 제작할 수 있다. 제1차 양극산화공정에 의해 기판 표면으로부터 함몰된 제1차 포어와 제1차 양극산화알루미늄을 형성할 수 있으며, 제2차 양극산화공정을 통해 규칙적으로 배열된 제2차 양극산화알루미늄을 형성할 수 있다. 또한, 형성된 제2차 양극산화알루미늄 표면에 규칙적으로 배열된 탄소구조물의 주형을 형성할 수 있다. 이를 미세접촉인쇄와 나노 임프린팅 식각 공정에 활용할 경우, 고밀도의 균일한 나노입자와 나노 포어의 패턴화 정렬을 얻을 수 있을 뿐 아니라, 다양한 나노입자와 나노 포어의 정렬을 활용하여 다양한 일차원 구조의 성장과 전기 소자에 응용할 수 있다.

대표청구항

기판에 제1차 양극산화공정을 수행하여, 상기 기판으로부터 함몰된 제1차 포어 및 상기 제1차 포어 표면에 형성된 제1차 양극산화알루미늄을 형성하는 단계; 상기 제1차 양극산화알루미늄을 제거하고, 상기 기판 상에 규칙적인 배열을 가지는 제2차 포어를 형성하는 단계; 상기 제2차 포어가 형성된 기판에 대해 제2차 양극산화공정을 수행하여, 상기 제2차 포어 표면으로부터 함몰된 제2차 양극산화알루미늄을 형성하는 단계; 상기 제2차 양극산화알루미늄 표면에 탄소 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 제2차 양극산화알루미늄 표면을 부분식각하여 탄소 구조물 주형을 형성하는 단계를 포함하는 탄소 구조물 주형의 형성방법.