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기 술 명
글래스 웨이퍼 기반의 침습형 전극 제작방법
연 구 자
김소희(기전공학부)
등록번호
10-1159697-00-00
출원번호
10-2010-0139591
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

글래스 웨이퍼 기반의 침습형 전극 제작방법이 개시된다. 보다 상세하게는, 본 발명은 글래스 웨이퍼(glass wafer) 및 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 준비하는 단계와, 글래스 웨이퍼의 일면에 적어도 하나 이상의 홈부를 형성하는 단계와, 상기 홈부에 글래스 웨이퍼를 관통하는 홀을 형성하는 단계와, 글래스 웨이퍼의 타면과 실리콘 웨이퍼의 일면을 접합하는 단계 및 실리콘 웨이퍼의 타면을 식각하여 홈부에 대응하는 침습형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 침습형 전극의 제작방법이 개시된다.

발명효과

본 발명에 의하면, 퍼니스(furnace)공정이 생략되므로 퍼니스 내에서 실리콘 웨이퍼가 유리 분말과 함께 가열되지 않으므로 실리콘 웨이퍼에 대한 물성 변화를 고려하지 않아도 되는 장점이 있다. 또한 상기와 같은 장점으로 인해 실리콘 웨이퍼의 산화(oxidation growth)가 발생하지 않아 산화막 제거와 같은 별도의 공정을 시행하지 않아도 되는 장점이 있다. 또한 본 발명에 따르면, 퍼니스 가열 공정이 생략되므로 실리콘 웨이퍼의 삽입한 유리 가루가 실리콘 웨이퍼 표면으로 튀어나와 실리콘 웨이퍼의 표면이 고르지 않기 때문에 시행하여야 하는 폴리싱(polishing)등의 후처리 공정을 생략할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 본 발명에 의한 글래스 웨이퍼 기반의 침습형 전극 제작방법에 의하면 전체 공정의 수 및 공정 시간을 줄일 수 있다.

대표청구항

(a) 글래스 웨이퍼(glass wafer) 및 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 준비하는 단계; (b) 상기 글래스 웨이퍼의 일면에 적어도 하나 이상의 홈부를 형성하는 단계; (c) 상기 홈부에 상기 글래스 웨이퍼를 관통하는 홀(hole)을 형성하는 단계; (d) 상기 글래스 웨이퍼의 타면과 상기 실리콘 웨이퍼의 일면을 접합하는 단계; 및 (e) 상기 실리콘 웨이퍼의 타면을 식각하여 상기 홈부에 대응하는 침습형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 침습형 전극 제작방법.