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기 술 명
단일 집적화 된 증가 및 공핍모드 HEMT 소자의 구조 및 제조방법
연 구 자
송종인(정보통신공학부)
등록번호
10-0426285-00-00
출원번호
10-2002-0019905
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조 및 그 제조 방법에 대해 개시한다. 본 발명에 실시예에 따른 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조는 반절연 화합물 반도체기판 상부에 불순물이 도핑되지 않은 채널층과, 채널층 상부에 불순물이 도핑된 장벽층과, 장벽층 상부에 서로 이격되게 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 오믹층과, 소오스/드레인 오믹층과 접촉되게 형성된 소오스/드레인 전극

발명효과

본 발명은 공핍 모드 및 증가 모드의 (p-)HEMT가 단일 집적화된 회로에서 증가 모드의 게이트 하부에 위치한 장벽층에 수소 이온을 주입하고 열처리함으로써 종래와 같이 장벽층 식각 공정을 이용하지 않고서도 쉽게 증가 모드의 문턱 전압을 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명은 증가 모드 (p-)HEMT의 문턱전압을 두께로 조절하기보다는 장벽층의 불순물 농도를 조절해서 문턱 전압을 조정하기 때문에 소자 특성이 균일한 증가 모드 (p-)HEMT를 제작하여 수율이 높은 공핍 및 증가 모드의 (p-)HEMT로 이루어진 단일 집적회로를 제작할 수 있는 효과가 있다. 한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.

대표청구항

반절연 화합물 반도체기판 상부에 형성되며 불순물이 도핑되지 않은 채널층과, 상기 채널층 상부에 형성되며 불순물이 도핑된 장벽층과, 상기 장벽층 상부에 서로 이격되게 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 오믹층과, 상기 소오스/드레인 오믹층과 접촉되게 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 전극과, 상기 소오스/드레인 오믹층 사이에서 상기 장벽층이 노출된 공간에 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극으로 이루어진 단일 집적화된 증가 모드 및 공핍 모드의 (p-)HEMT에 있어서, 상기 증가 모드 (p-)HEMT 소자의 게이트 전극 하부에 대응하는 상기 장벽층내에 수소 이온이 주입되어 불순물 농도가 조절된 불순물 농도 감소영역을 구비한 것을 특징으로 하는 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조.