IT, 컨텐츠

광주과학기술원의 IT, 컨텐츠의 유용한 기술정보를 검색 및 문의하실 수 있습니다.

기 술 명
단일집적 E/D 모드 HEMT 및 그 제조 방법
연 구 자
송종인(정보통신공학부)
등록번호
10-0379619-00-00
출원번호
10-2000-0060200
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

본 발명에 따른 단일집적 E/D 모드 HEMT는 반도체 기판 상에 순차적으로 형성되는 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 제1 장벽층, 제2 장벽층, 제3 장벽층 및 상기 제3 장벽층과 오믹접촉하는 오믹층과, 상기 제3 장벽층이 노출되도록 상기 오믹층이 식각되어 형성되는 제1 노출영역과, 제2 장벽층이 노출되도록 상기 오믹층 및 상기 제3 장벽층이 식각되어 형성되는 제2 노출영역 및 상기 제1 노출영역 및 제2 노출영역에 각각 형성되는 상에 형성된 게이트 전

발명효과

본 발명은 매우 간단하고 경제적인 선택적 습식 식각 공정을 통하여 균일한 특성을 갖는 단일 집적화된 E/D 모드 HEMT 소자의 제조가 가능하다. 또한 본 발명은 MMIC의 수율을 향상시켜 제품 경쟁력을 향상시킨다. 또한 본 발명에 따른 단일집적 E/D HEMT의 제2 장벽층은 게이트 금속과의 전위장벽값을 증가시켜서 요구되는 인핸스먼트 HEMT 소자의 문턱 전압을 얻기 위한 전체 장벽층 두께를 증가시켜, 인핸스먼트 HEMT의 게이트 정전 용량의 감소를 통해 트랜지스터의 속도 특성을 향상시키고, 또한 인핸스먼트 HEMT의 게이트 누설 전류의 감소를 통해 트랜지스터의 DC 특성을 향상시킨다.

대표청구항

반절연 GaAs 기판 상에 순차적으로 형성되는, 도핑이 되지 않은 GaAs, GaAs/Al x Ga 1-x As(0