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기 술 명
주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 트랜지스터의 단채널 효과 측정방법
연 구 자
이탁희(신소재공학부)
등록번호
10-1338356-00-00
출원번호
10-2007-0034920
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

주사 탐침 현미경을 이용하여 소스전극과 드레인 전극에 연결된 나노선 채널을 찾는 단계, 주사 탐침 현미경의 팁을 나노선 채널 위에 접촉시키고 나노선 채널 위에서 위치를 변화시키며 팁을 드레인 전극으로 하여 소스전극 과 팁 간에 채널을 형성시키는 단계 및 반도체 파라미터 분석기를 이용하여 소스전극과 팁 간의 채널에서 나노소자의 전기적 특성을 측정하는 단계를 포함하여 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법을 구성한다. 따라서, 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과를 직접적으로 측정이 가능하게 됨으로써, 단채널 효과에 의한 동작전압 및 문턱전압의 변화를 고려한 소자의 설계 및 제조가 가능해진다.

발명효과

본 발명에 따르면, 나노선 전계효과 트랜지스터의 소자 크기가 축소됨(scaling down)에 따른 전기적 특성 변화를 원자 탐침 현미경을 이용하여 직접적으로 측정 가능한 방법을 제공한다. 이에 의하여, 단채널 효과의 측정을 위하여 다양한 채널길이를 가지는 소자를 나노패터닝 공정을 이용하여 제작할 필요없이, 하나의 단위 소자를 이용해서도 다양한 채널길이에서의 전기적 특성을 평가할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 주사 탐침 현미경 팁을 사용하여 나노선의 컨택 저항을 측정할 수 있다거나, 기판하부에 히터 또는 저온 장비를 장착하여 온도변화에 따른 전기적 특성 측정도 가능해진다는 효과가 있다. 이상과 같이 채널의 길이가 짧아짐에 따른 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과를 직접적으로 측정이 가능하게 되므로써, 단채널 효과에 의한 동작전압 및 문턱전압의 변화를 고려한 소자의 설계 및 제조가 가능해진다.

대표청구항

주사 탐침 현미경을 이용하여 소스전극과 드레인 전극에 연결된 나노선 채널을 찾는 단계; 상기 주사 탐침 현미경의 팁을 상기 나노선 채널 위에 접촉시키고 상기 나노선 채널 위에서 위치를 변화시키며 상기 팁을 드레인 전극으로 하여 상기 소스전극 과 상기 팁 간에 채널을 형성시키는 단계; 및 반도체 파라미터 분석기를 이용하여 상기 소스전극과 상기 팁 간의 채널에서 흐르는 전류를 측정하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법.