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기 술 명
산화아연 나노선 물성제어 방법 및 트랜지스터 제조방법
연 구 자
이탁희(신소재공학부)
등록번호
10-1084763-00-00
출원번호
10-2009-0030833
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

레이저 조사에 의한 산화아연 나노선 물성제어 방법 및 산화아연 나노선 트랜지스터 제조방법이 개시된다. 진공 챔버내에서 산화아연 나노선에 레이저를 조사하여 나노선 선단이 가열후 냉각됨으로써 형상 변화가 일어나게 된다. 또한, 진공 챔버내에서 채널이 산화아연 나노선인 트랜지스터에 레이저를 조사하여 트랜지스터 동작특성이 n채널 공핍형으로 변화하게 된다.

발명효과

본 발명의 산화아연 나노선 및 산화아연 나노선 트랜지스터의 물성제어 방법에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. 첫째, 산화아연 나노선에 레이저를 조사하여 나노선 표면부가 급속 가열후 급냉됨으로써 나노선 선단부의 형상이 구상으로 변화됨으로써 나노선이 전계방출효과(field emission effect)를 나타낼 수 있다. 둘째, 산화아연 나노선 트랜지스터에 레이저를 조사함으로써 나노선이 n채널 공핍형 특성을 갖게 되므로 나노선에 도펀트(dopant)를 공급함이 없이 트랜지스터의 전기적 특성을 제어할 수 있다. 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

대표청구항

진공 챔버내에 산화아연 나노선을 제공하는 단계; 상기 산화아연 나노선에 펄스(pulse) 형태의 레이저를 조사하여 상기 산화아연 나노선을 융해시키는 단계; 및 융해된 상기 산화아연 나노선을 냉각시켜 선단부의 형상이 구상인 산화아연 나노선을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 조사되는 레이저의 에너지 밀도는 50mJ/cm2 내지 100mJ/cm2 의 범위인 산화아연 나노선 물성제어방법.