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기 술 명
나노소자 논리회로 및 그 제조방법
연 구 자
이탁희(신소재공학부)
등록번호
10-1076767-00-00
출원번호
10-2009-0010875
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

공핍형 모드(depletion mode)와 증식형 모드(enhancement mode) 나노와이어 트랜지스터로 구성된 나노소자 논리회로 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 논리회로 제작을 위해 기판상 일부 영역에 제1 나노와이어를 배치하고 이를 소스 전극과 드레인 전극으로 연결하여 공핍형 나노와이어 트랜지스터를 구성한다. 또한, 기판상 다른 영역에 제2 나노와이어를 배치하고 이를 소스 전극과 드레인 전극으로 연결하여 증식형 나노와이어 트랜지스터를 구성한다. 상기 공핍형 나노와이어 트랜지스터의 소스 전극과 상기 증식형 나노와이어 트랜지스터의 드레인 전극을 배선부로 연결하여 나노소자 논리회로를 제공할 수 있다.

발명효과

본 발명의 나노소자 논리회로에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상이 있다. 첫째, 공핍형 나노와이어 트랜지스터와 증식형 나노와이어 트랜지스터로 구성된 논리회로를 제작함으로써, 별도의 추가 장치없이 올바른 구동전압을 갖는 논리회로를 디자인 할 수가 있다. 둘째, 공핍형 나노와이어 트랜지스터와 증식형 나노와이어 트랜지스터로 구성된 논리회로를 구현함으로써 소비전력을 감소시키고, 논리회로의 게인과 노이즈 마진을 향상시킬 수가 있다. 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

대표청구항

제1 소자영역 및 제2 소자영역을 구비하는 소자기판; 상기 제1 소자영역 상에 배치되며, 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극, 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이에 위치하는 제1 나노와이어, 및 상기 제1 나노와이어에 중첩하는 제1 게이트 전극을 포함하는 공핍형 나노와이어 트랜지스터; 상기 제2 소자영역 상에 배치되며, 제2 소스 전극, 제2 드레인 전극, 상기 제2 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극 사이에 위치하고 상기 제1 나노와이어에 비해 표면이 거친 제2 나노와이어, 및 상기 제2 나노와이어에 중첩하는 제2 게이트 전극을 포함하는 증식형 나노와이어 트랜지스터; 및 상기 제1 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 배선부를 포함하는 나노소자 논리회로.