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기 술 명
나노선 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
연 구 자
이탁희(신소재공학부)
등록번호
10-0822992-00-00
출원번호
10-2007-0026721
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

기판 상에 식각을 통하여 한 쌍의 전극이 형성될 홈들을 형성하는 단계, 한 쌍의 전극이 형성될 홈들에 금속박막을 증착하여 한 쌍의 전극을 형성하는 단계 및 한 쌍의 전극에 전압을 인가하여 비균일 전기장의 형성으로 인한 유전영동을 포함하는 전기화학적 힘에 의해 한 쌍의 전극간에 반도체 나노선을 정렬하는 단계를 포함하여 나노선 전계효과 트랜지스터를 제작하는 방법을 구성한다. 따라서, 나노선의 정렬을 유전영동의 방법을 이용하여 제어함으로써 대량생산에 적합하고 생산수율이 개선되는 효과가 있다.

발명효과

나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서 나노선의 정렬을 유전영동의 방법을 이용하여 제어함으로써 나노선을 원하는 위치에 배열하는 것이 가능하여 게이트 전극을 나노선의 길이방향의 중심부에 위치시키는 것이 용이하다는 장점이 있다. 또한, 전극의 형성 후에 나노선을 정렬시키고 그 위에 금속박막을 추가적으로 증착하는 공정에 의해서 나노선과 금속박막사이의 접촉저항을 개선하여 전기적 특성을 개선시킬 수 있게 된다. 또한, 게이트 전극을 올리기 위해서 고분자 절연막을 사용함으로써 종래의 무기 절연막을 사용할 경우에 필요한 고가의 장비 및 작업 비용을 개선시킬 수 있다는 효과가 있다. 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

대표청구항

기판 상에 식각을 통하여 한 쌍의 전극이 형성될 홈들을 형성하는 단계; 상기 한 쌍의 전극이 형성될 홈들에 금속박막을 증착하여 한 쌍의 전극을 형성하는 단계; 및 상기 한 쌍의 전극에 전압을 인가하여 비균일전기장의 형성으로 인한 유전영동을 포함하는 전기화학적 힘에 의해 상기 한 쌍의 전극간에 반도체 나노선을 정렬하는 단계를 포함한 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조 방법