IT, 컨텐츠

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MOS 트랜지스터 게이트 절연막 및 그...

본 발명에 따른 MOS 트랜지스터 게이트 절연막은, 하프늄 산화막에 Dy가 도핑되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 Dy의 도핑량은 1 내지 20 원자% 인 것이 바람직하며, 상기 Dy 도핑된 하프늄 산화막은...

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깊이영상의 계층적 분해를 이용한 삼차원...

본 발명은 메쉬 기반 표현법을 이용하여 깊이영상을 표현하여 삼차원 비디오의 실시간 렌더링을 가능하게 하고, 깊이영상을 복수의 계층으로 분해하여 삼차원 비디오의 품질 향상 및 품질 조절을 가능하게 하며, 깊이값에 관계없이 깊...

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산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기...

본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 저항변화를 이용한 ReRAM 소자를 구현하기 위하여, 산소가 많이 부족하여 조성비(stoichiometry)가 맞지 않...

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영상 텍스쳐 분석 방법과 장치, 및 이...

본 발명은 영상 텍스쳐 분석 방법과 장치, 및 이를 이용한 영상 분류 방법과 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 회전 불변한 영상의 텍스쳐 분석이 가능하도록 하고 분석 효율 및 속도를 증가시키는 영상 텍스쳐 분석 방법과...

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MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처...

본 발명은 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 관한 것으로써, 고압 수소 처리를 적용한 고유전율 절연막 소자에 과포화로 존재하는 수소를 효과적으로 제거함으로써, 소자의 신뢰성을 개선하는 것을 특징으로 한다....

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깊이 카메라를 이용하여 보완한 깊이 정...

본 발명은 깊이 카메라를 이용하여 보완한 깊이 정보 생성 방법 및 장치를 개시한다. 본 발명은 스테레오 카메라 또는 다시점 카메라에서 획득된 영상에 대한 스테레오 매칭을 통해 얻어지는 초기 깊이 정보를 깊이 카메라 시스템을...

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에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억...

본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 있어서, 기판 위에 에피택시 버퍼층을 형성하고 그 위에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억소자의 제조 방법 및 비휘발성 기억소자에 관한 것이다...

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다시점 영상의 기하학적 보정 시스템 및 방법

다시점 영상의 기하학적 보정 시스템 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 다시점 영상의 기하학적 보정 시스템은, 카메라 배열로부터 얻어지는 다시점 영상을 수신하는 영상 입력부; 상기 카메라 배열을 이루는 카메라들의 카메라...

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다시점 영상 매팅 시스템과 방법 및 이...

본 발명은 다시점 영상 매팅 시스템과 방법 및 이를 수록한 저장매체에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기준 시점의 트라이맵을 모든 시점과 공유함으로써 모든 시점의 전경을 추출해 낼 수 있고, 각 시점의 트라이맵을 각각 독립적...

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다시점 영상 처리 방법 및 장치

다시점 영상 처리 방법 및 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 다시점 영상 처리 방법은, 깊이 카메라로부터 얻어진 깊이맵을 다시점 카메라의 시점으로 3차원 워핑하여 다시점 깊이맵을 얻는 단계; 상기 다시점 깊이맵을 이용하여...

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