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기 술 명
문턱 스위칭과 메모리 스위칭 특성을 동시에 갖는 저항 변화 메모리 소자, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
연 구 자
황현상(신소재공학부)
등록번호
10-1423930-00-00
출원번호
10-2012-0039566
문 의 처
문희곤062-715-3077hgmoon@gist.ac.kr
발명정보

저항 변화 메모리 소자, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이를 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 제1 전극과 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 하이브리드 스위칭막이 배치된다. 상기 하이브리드 스위칭막은 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 함께 갖는 금속 산화물막이다.

발명효과

본 발명에 따르면, 저항 변화 메모리 소자는 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 함께 갖는 금속 산화물 막인 하이브리드 스위칭막을 구비함으로써, 추가적인 선택 소자 없이 크로스 포인트 어레이로 형성하더라도 셀간 간섭없이 프로그래밍된 데이터를 읽어낼 수 있다.

대표청구항

제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 금속 리치한 비화학양론적 금속 산화물막을 형성하는 단계; 상기 금속 산화물막의 표면을 산소 처리하여, 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 함께 갖는 금속 산화물막인 하이브리드 스위칭막을 형성하는 단계; 및 상기 하이브리드 스위칭막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 전극은 적어도 상기 하이브리드 스위칭막과 접하는 영역에서 상기 하이브리드 스위칭막 내에 함유된 금속에 비해 산소와의 반응성이 같거나 더 큰 금속을 함유하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법.