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저온 고압 열처리를 이용한 비휘발성 메...

저온 고압 열처리를 이용한 비휘발성 메모리의 제조방법이 개시된다. 비휘발성 메모리를 구성하는 게이트 구조물의 형성시에 2단계의 열처리가 수행된다. 2단계의 열처리는 고유전율 절연막들 간의 계면 결함 및 내부 결함을 치유한다...

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메모리 소자 및 그 제조방법

메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 메모리 소자를 구성하는 저항변화층과 전극간 접촉면적, 전극간 저항변화층의 길이를 변화시킴으로써 저항변화층의 임계전압을 변화시킬 수 있다. 또한, 복수개 형성되는 저항 변화층의 두께를...

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선택 소자, 이를 포함하는 비휘발성 메...

선택 소자, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 및 이의 제조방법이 제공된다. 선택 소자는 제1 전극과 제2 전극 사이에 터널링 산화물층 및 금속 클러스터 산화물층을 포함하는 다층의 산화물 적층 구조를 채용하여 비교적 낮은...

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비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및...

비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자는 제1 하부 전극, 제1 저항 변화층 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 저항 변화 메모리 및 상기 제1 저...

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깊이영상의 계층적 분해를 이용한 삼차원...

본 발명은 메쉬 기반 표현법을 이용하여 깊이영상을 표현하여 삼차원 비디오의 실시간 렌더링을 가능하게 하고, 깊이영상을 복수의 계층으로 분해하여 삼차원 비디오의 품질 향상 및 품질 조절을 가능하게 하며, 깊이값에 관계없이 깊...

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산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기...

본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 저항변화를 이용한 ReRAM 소자를 구현하기 위하여, 산소가 많이 부족하여 조성비(stoichiometry)가 맞지 않...

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영상 텍스쳐 분석 방법과 장치, 및 이...

본 발명은 영상 텍스쳐 분석 방법과 장치, 및 이를 이용한 영상 분류 방법과 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 회전 불변한 영상의 텍스쳐 분석이 가능하도록 하고 분석 효율 및 속도를 증가시키는 영상 텍스쳐 분석 방법과...

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MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처...

본 발명은 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 관한 것으로써, 고압 수소 처리를 적용한 고유전율 절연막 소자에 과포화로 존재하는 수소를 효과적으로 제거함으로써, 소자의 신뢰성을 개선하는 것을 특징으로 한다....

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깊이 카메라를 이용하여 보완한 깊이 정...

본 발명은 깊이 카메라를 이용하여 보완한 깊이 정보 생성 방법 및 장치를 개시한다. 본 발명은 스테레오 카메라 또는 다시점 카메라에서 획득된 영상에 대한 스테레오 매칭을 통해 얻어지는 초기 깊이 정보를 깊이 카메라 시스템을...

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에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억...

본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 있어서, 기판 위에 에피택시 버퍼층을 형성하고 그 위에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억소자의 제조 방법 및 비휘발성 기억소자에 관한 것이다...

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