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저온 고압 열처리를 이용한 비휘발성 메...

저온 고압 열처리를 이용한 비휘발성 메모리의 제조방법이 개시된다. 비휘발성 메모리를 구성하는 게이트 구조물의 형성시에 2단계의 열처리가 수행된다. 2단계의 열처리는 고유전율 절연막들 간의 계면 결함 및 내부 결함을 치유한다...

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메모리 소자 및 그 제조방법

메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 메모리 소자를 구성하는 저항변화층과 전극간 접촉면적, 전극간 저항변화층의 길이를 변화시킴으로써 저항변화층의 임계전압을 변화시킬 수 있다. 또한, 복수개 형성되는 저항 변화층의 두께를...

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선택 소자, 이를 포함하는 비휘발성 메...

선택 소자, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 셀 및 이의 제조방법이 제공된다. 선택 소자는 제1 전극과 제2 전극 사이에 터널링 산화물층 및 금속 클러스터 산화물층을 포함하는 다층의 산화물 적층 구조를 채용하여 비교적 낮은...

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비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및...

비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자는 제1 하부 전극, 제1 저항 변화층 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 저항 변화 메모리 및 상기 제1 저...

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영상의 스테레오 정합 방법 및 장치

본 발명은 신뢰도에 기반한 계층적 구조를 이용하여 스테레오 정합 비용 집적 과정을 용이하게 하는 것을 특징으로 하는 영상의 스테레오 정합 방법 및 장치에 대한 것이다. 본 발명은, 영상의 스테레오 정합 장치에 있어서, 정...

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플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박...

본 발명은 N2O 플라즈마 처리를 이용한 고품질의 n-형 질화갈륨(GaN) 계열 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 기판 위에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성한 다음, 실리콘을 도핑...

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문맥 기반 적응적 가변 길이 부호화 인...

본 발명은 프레임으로 이루어진 영상 데이터를 부호화하는 인코더, 복호화하는 디코더 및 이를 위한 인코딩 방법과 디코딩 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 문맥 기반 적응적 가변 길이 부호화하는 방법(CAVLC)은, 상기...

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MOS 트랜지스터 게이트 절연막 및 그...

본 발명에 따른 MOS 트랜지스터 게이트 절연막은, 하프늄 산화막에 Dy가 도핑되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 Dy의 도핑량은 1 내지 20 원자% 인 것이 바람직하며, 상기 Dy 도핑된 하프늄 산화막은...

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깊이영상의 계층적 분해를 이용한 삼차원...

본 발명은 메쉬 기반 표현법을 이용하여 깊이영상을 표현하여 삼차원 비디오의 실시간 렌더링을 가능하게 하고, 깊이영상을 복수의 계층으로 분해하여 삼차원 비디오의 품질 향상 및 품질 조절을 가능하게 하며, 깊이값에 관계없이 깊...

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산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기...

본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 저항변화를 이용한 ReRAM 소자를 구현하기 위하여, 산소가 많이 부족하여 조성비(stoichiometry)가 맞지 않...

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