용액법 공정 기반 투명 전극/반도체
문희곤
hgmoon@gist.ac.kr
062-715-3077
기술개요
- 용액법 공정을 이용하여 제조되는 격자 전극을 포함하는 투명 반도체 장치 제조 방법
- 게이트 전극, 게이트 절연막, 및 활성층은 투명성 물질로 이루어짐
- 소스 전극 및 드레인 전극은 활성층 상면에 각각 금속 나노파티클 용액을 이용하여 격자 무늬 전극을 형성하여 투명성을 가짐
기술의 특징/우수성
- 투명 전극인 Ag 격자 소스/드레인 전극을 가지는 전체 용액 공정(all-solution -processed)에 의한 투명 반도체 장치인 TFT가 제공됨
- 고가의 고-진공 시스템을 채용하지 않고서도 용액법 공정을 이용한 연속 공정으로 투명 전극 및 이를 채용하는 투명 반도체 장치 제조 가능
- 용액법 공정을 이용한 연속 공정은 대량생산 및 낮은 생산원가가 기대되고 추후, 현재 쓰고있는 ITO 투명전극 대체가 기대됨
주요기능/사양
- 투명 전극은 가시대역에서 80 % 정도의 적정한 투과도와 6.13±0.12 Ω/sq의 면저항을 가짐
- TFT는 전형적인 n-형 트랜지스터 성능인 1.27 cm2/Vs의 이동도, 1.7 V의 문턱전압 및 2.8×104의 점멸비를 나타냄
응용분야
