고분자 절연체와 나노 플로팅 게이트를 이용한 비휘발성 유기 메모리 장치 및 그 제조방법
NON-VOLATILE ORGANIC MEMORY DEVICE USING POLYMER ELECTRET AND NANO FLOATING GATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
출원번호 : 1020140145064 / 20141024
등록번호 : 1022481440000 / 20210428

광주과학기술원 김동유,강민지,김동윤,백강준

초록

유기전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 유기물 반도체층 및 게이트 절연층을 포함하며, 상기 유기물 반도체층 및 게이트 절연층 사이에는 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층을 더 포함하는 비휘발성 유기 메모리 장치 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 신뢰성이 높고, 데이터 소거 및 저장 능력이 탁월하며, 고집적도의 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있으며, 유연한 기판에 소자를 형성함으로써 경량화, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.

대표청구항

유기전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 메모리 장치에 있어서,
유기물 반도체층 및 게이트 절연층을 포함하며,
상기 유기물 반도체층 및 상기 게이트 절연층 사이에는 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층을 더 포함하며,
상기 유기물 반도체층은 소스(Source) 전극과 드레인(Drain) 전극을 포함하는 기판 위에 형성되며,
상기 유기물 반도체층 상에 상기 고분자 전하 저장층과 상기 나노 입자 플로팅 게이트층이 순차로 형성되고,
상기 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층은 1회 또는 복수회 반복되어 층을 이루도록 형성되며,
상기 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층 상에는 상기 게이트 절연층 및 게이트 전극이 순차적으로 형성되며,
상기 고분자 전하 저장층은 소수성, 스티렌 치환계 고분자를 포함하는 유기 절연 물질을 포함하는 적어도 어느 하나의 박막으로 형성되는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치.

대표이미지