본 발명의 목적은 반사도가 우수하면서도 반도체 층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 발광다이오드용 반사전극 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은…
다공성 접합층을 구비하여 전류제한층을 형성하는 초발광 다이오드 및 그 제조방법이 제공된다. 반도체층으로 이루어진 초발광 다이오드의 내 측면에 일부를 전기화학적 식각을 수행하여 반도…
그리드 패턴 구조를 포함하는 다층 투명전극이 제공된다. 구체적으로, 상기 다층 투명전극은, 기판 상에 순차적으로 배치된 하부 산화물층, 금속층 및 상부 산화물층을 포함하며, 상기 …
서로 다른 기판 위에 성장된 각각 상이한 파장대의 빛을 발광하는 발광 구조체들을 전도성 투명 접합층을 이용하여 수직으로 접합하고, 어느 하나의 성장기판을 제거하는 단계; 상기 발광…
유기발광다이오드 및 이의 제조방법이 제공된다. 구체적으로, 애노드 하부에 자성구조체를 배치하고, 애노드 상부에 발광요소층 및 캐소드를 순차적으로 적층한 유기발광다이오드를 제공할 수…
발광다이오드의 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드가 제공된다. 상세하게는, 발광구조물 상에 요철 패턴을 형성하고, 상기 요철 패턴 상에 나노스피어층을 이식하여 건식식각을 수…
고효율 발광다이오드의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 기판 상에 n형 질화갈륨층, 및 활성층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 활성층 상에 복수개의 홀을 가진 p형 질화갈륨층을 …
자기구조물을 구비하는 발광다이오드 및 그 제조방법이 제공된다. 활성층 및 반도체층으로 이루어진 발광구조물의 내측면에 패시베이션층과 자성층으로 이루어진 자기구조물을 구비한다. 본 발…
발광 다이오드를 제공한다. 발광 다이오드는 기판, 기판 상에 위치하는 n형 반도체층, n형 반도체층 상에 위치하는 활성층, 활성층 상에 위치하는 p형 반도체층, p형 반도체층 상에…
