본 발명은 질화물계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 멀티 오믹컨택트층이 순…
본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 반사층이 순차…
본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 멀티 오믹컨택트층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 …
본 발명은 인듐 주석 산화물 보다 더 큰 일함수 값을 갖는 투명 전도성 산화물을 질화물계 발광소자의 투명전극으로 적용한 질화물계 발광소자 및 그 제조방…
본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 플립칩형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 …
본 발명은 환원된 금속 이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법으로서, 광섬유 또는 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 …
질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체 층…
본 발명은 p형 전도성 투명산화물 박막전극층을 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층…
본 발명은 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 오믹콘택트층이 순차적으로…