본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 있어서, 상부와 하부에 전극을 형성하고, 상기 전극 사이에, 저항변화에 핵심적인 다량의 산소공공(oxygen vacancy…
발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 질화갈륨층과, n형 하부 접촉층과, 장벽층 및 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층과, p형 상부 접촉층과…
발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, n형 화합물 반도체층과, n형 화합물 반도체층 상의 소정영역에 형성된 활성층과, n형 화합물 반도체층에 있어서 활성층이 형성되…
본 발명은 고출력 광섬유 레이저용, 특히 레이저 마킹용으로 사용될 수 있는 특수 광섬유에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 고출력 광섬유 레이저용 광섬유로서, 상기 광섬유에 레이저…
질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-형 전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체…
본 발명은 재조합 아세틸콜린 수용체 폴리펩티드 및 이를 유효성분으로 포함하는 중증근무력증 치료제에 관한 것으로, B 세포의 작용기가 결실된 아세틸콜린 수용체 단편의 재조합 폴리펩티…
본 발명은 물벼룩의 이동경로를 촬영하는 영상획득수단의 화면을 일정 크기의 격자를 생성하여 활동성을 정량화함에 따라 물벼룩의 정상적 활동과 비정상적 활동을 확연하게 구별하는 것이 가…
본 발명은 반도체 노광 공정에 이용될 수 있으며, 레이저에 선폭을 축소하기 위하여 엑시머 레이저에 결합될 수 있는 레이저의 선폭 축소 장치를 개시한다.본 발명의 레이저의 선폭 축소…
본 발명은 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 관한 것으로써, 고압 수소 처리를 적용한 고유전율 절연막 소자에 과포화로 존재하는 수소를 효과적으로 제거함으로써, 소자의…
본 발명은 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층된 발광구조체의 p형 클…