저항 변화 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 양 전극에 개재되는 절연막으로서 빠른 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 채용한다. 이러한 금속이 도핑된…
광결정 구조를 가지는 발광 다이오드가 개시된다. 질화갈륨을 이용한 발광 다이오드에서 기판의 상부에는 광결정 구조가 구비된다. 광결정 구조는 기판과 질화갈륨층 사이에 형성되어 p형 …
통기성필름에 미세 홈을 연속적으로 가공할 수 있는 방법이 개시된다. 펄스 레이저를 이용하여 펄스의 중첩없이 하나의 펄스 레이저를 통해 미세 홈들을 연속적으로 가공한다. 펄스 레이저…
본 발명은 클로린(chlorin) 화합물, 또는 그의 약제학적으로 허용되는 염을 유효성분으로 포함하며, 상기 클로린 화합물 또는 그의 약제학적으로 허용되는 염은 항종양 활성을 위하…
반응성 염료를 포함하는 새로운 염모제와 그 제조방법이 개시된다. 이러한 본 발명의 염모제는 점증제, 침투제 및 비닐설폰 반응기를 가지는 반응성 염료를 포함한다. 본 발명에 따른 반…
본 발명은 다시점 비디오에서 상이한 시점의 화면에 대한 전역변이를 검출하고, 산출된 전역변이를 이용해서 시점방향으로도 계층적인 B 화면구조를 사용함으로써 인코딩 효율을 증가시킬 수…
본 발명은 유산균 및 콜라겐을 유효성분으로 포함하는 관절염 예방 및 치료용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 관절염의 예방 또는 치료에 매우 우수한 효능을 발휘한다. …
본 발명은 웨이퍼 본딩 방법에 관한 것으로써, 특히 고압 수소 열처리를 이용한 저온 구리 웨이퍼 본딩방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기존 공정 대비, 상대적으로 저온(<40…
본 발명은 SOI MOSFET의 제조방법에 있어서, SOI MOSFET 소자를 고압의 수소 또는 중수소 분위기에서 열처리하는 공정을 포함한다.특히 완전공핍형 SOI MOSFET에서…
정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 발광 다이오드용 구성요소의 일부가 형성된 발광 다이오드용 기판과 전극층이 형성되어 있는 다…