본 발명에 따른 오믹접촉 투명전극층 형성방법은, p-AlGaInN 화합물 반도체층(120) 상에 니켈산화물(NiO1-x), 망간산화물(MnO1-x),…
본 발명에 따른 오믹접촉 투명전극층 형성방법은, p-AlxGayInzN(0≤x, y, z≤1, x+y+z=1) 화합물 반도체층 상에 아연 산화물층을 적…
