본 발명은 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판상에 PCMO(Pr1-XCaXMn…
본 발명은 웨이퍼 본딩 방법에 관한 것으로써, 특히 고압 수소 열처리를 이용한 저온 구리 웨이퍼 본딩방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기존 공정 대비, 상대적으로 저온(<40…
