발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, n형 화합물 반도체층과, n형 화합물 반도체층 상의 소정영역에 형성된 활성층과, n형 화합물 반도체층에 있어서 활성층이 형성되…
본 발명에 따른 오믹접촉 투명전극층 형성방법은, p-AlGaInN 화합물 반도체층(120) 상에 니켈산화물(NiO1-x), 망간산화물(MnO1-x),…
본 발명에 따른 오믹접촉 투명전극층 형성방법은, p-AlxGayInzN(0≤x, y, z≤1, x+y+z=1) 화합물 반도체층 상에 아연 산화물층을 적…
