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저항 변화 메모리 소자 및 저항변화 메모리 소자의 포밍방법

스위칭 재현성 및 균일성이 향상된 저항변화 메모리 소자, 저항변화 메모리 소자의 포밍방법이 개시되어 있다. 저항변화 메모리 소자는 기판 상에 위치한 제1 전극, 제1 전극 상에 …

광주과학기술원 황현상,이동수
형광수명 측정 방법 및 장치

형광수명 측정 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 형광수명 측정 장치는, 형광 분자를 포함하는 시료에 조사할 여기광을 발생시키는 여기광 발생부, 상기 여기광을 상기 시료에 …

광주과학기술원 김덕영,문석배,이동수
비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

저항 변화 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 양 전극에 개재되는 절연막으로서 빠른 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 채용한다. 이러한 금속이 도핑된…

광주과학기술원 황현상,이동수