질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-형 전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체…
본 발명은 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층된 발광구조체의 p형 클…
본 발명은 질화물계 발광소자의 외부 양자효율을 증가시키기 위한 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 클래드층, 활성층, 및 p형 클래드층이 순차적…
반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따르면, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 …
본 발명은 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자를 개시한다. n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는…
본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판 위에, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드…
본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물계 발광소자는 n형 클래드층과, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되…
본 발명은 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 격자셀층 및 오믹컨택트층; 및 상기 반사형 오믹컨택트층 위에…
본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 …