스위칭 소자인 문턱 스위칭층을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법이 개시된다. 저항 변화 메모리는 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭과 상부 전극의 산화에 의해 형성된 …
