총 특허 수 : 2건   |   1 / 1페이지
III - V 족 GaN 계 화합물 반도체 및 이에 적용되는p-형 전극

질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-형 전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체…

광주과학기술원,삼성전자주식회사 남옥현,성태연,곽준섭,송준오,임동석
III - V 족 GaN 계 화합물 반도체 및 이에적용되는 p-형 전극

질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체 층…

광주과학기술원,삼성전자주식회사 곽준섭,성태연,남옥현,송준오,임동석