총 특허 수 : 4건   |   1 / 1페이지
III - V 족 GaN 계 화합물 반도체 및 이에 적용되는p-형 전극

질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-형 전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체…

광주과학기술원,삼성전자주식회사 남옥현,성태연,곽준섭,송준오,임동석
반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자

반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따르면, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 …

광주과학기술원,삼성전기주식회사 곽준섭,성태연,송준오
화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한화합물 반도체 발광소자

본 발명은 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자를 개시한다. n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는…

광주과학기술원,삼성전자주식회사 곽준섭,김현수,성태연,송준오
III - V 족 GaN 계 화합물 반도체 및 이에적용되는 p-형 전극

질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체 층…

광주과학기술원,삼성전자주식회사 곽준섭,성태연,남옥현,송준오,임동석