고효율 발광다이오드의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 기판 상에 n형 질화갈륨층, 및 활성층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 활성층 상에 복수개의 홀을 가진 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계, 상기 p형 질화갈륨층의 홀의 측면 및 하면에 절연영역층을 형성하는 단계, 및 상기 절연영역층이 형성된 홀의 내부를 충진하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 금속층은, 금속 디스크층의 형태이거나, 금속 디스크층 및 자성층이 순차적으로 적층된 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법을 제공할 수 있다. 이에, 본 발명은 복수개의 홀을 가진 p형 질화갈륨층의 내부에 절연영역층을 형성함으로써, 질화갈륨층 내의 금속층의 형성에 의해 질화갈륨층의 박막질이 저하되거나 누설전류가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 질화갈륨층 내부에 금속 디스크층을 형성함으로써, 표면 플라즈몬 공명을 통해 발광다이오드의 내부 양자 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다. 아울러, 질화갈륨층 내부에 자성층을 형성함으로써, 발광다이오드 내 불균일한 자기장을 인가할 수 있어 발광 재결합율이 증가되면서 발광효율이 향상될 수 있다.