밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터
Field Effect Transistor of having Ability Controlling Band Gap
출원번호 : 1020150168406 / 20151130

광주과학기술원,전남대학교산학협력단 이병훈,정현담

초록

인가되는 전계에 따라 밴드갭을 조절할 수 있는 밴드갭 조절층이 구비된 전계 효과 트랜지스터가 개시된다. 핀 채널 영역 상에 형성된 밴드갭 조절층은 분자 비계와 분자 회전자를 포함한다. 분자 비계와 분자 회전자가 동일 평면 상에 배치되는 경우, π-공액 결합의 길이는 최대화된다. 이를 통해 밴드갭의 감소를 유도할 수 있다.

대표청구항

기판;
상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판으로부터 돌출된 형상을 가지며, 반도체 재질을 가지는 핀 채널 영역;
상기 핀 채널 영역 상에 형성되고, 인가되는 전계에 의해 밴드갭이 변경되는 밴드갭 조절층; 및
상기 밴드갭 조절층 상에 형성되고, 상기 밴드갭 조절층에 전계를 인가하기 위한 게이트를 포함하는 밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터.

대표이미지