보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 및 그 제조방법 및 이를 이용한 이차전지
Boron-doped Silicon Nanostructure for Negative electrode, Method for Preparing the Same and Secondary battery using it
출원번호 : 1020190005475 / 20190116
등록번호 : 1021661190000 / 20201008

광주과학기술원 엄광섭,정건영,정원상,조성준

초록

본 발명의 일실시예는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 준비하는 단계, 상기 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 카본류 전도성 물질, 고분자 물질 및 결합제와 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계 및 상기 제조된 슬러리를 전류집전체 상에 코팅 후 열처리하는 단계를 포함하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법을 제공한다.

대표청구항

보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 준비하는 단계;
상기 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 카본류 전도성 물질, 고분자 물질 및 결합제와 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계; 및
상기 제조된 슬러리를 전류집전체 상에 코팅 후 열처리하는 단계를 포함하고,
상기 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 준비하는 단계는,
보론이 도핑된 실리콘기판 상에 촉매에 의한 식각 방지를 위해 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴이 형성된 실리콘기판 상에 촉매층을 형성하는 단계;
상기 촉매층에 의한 촉매반응을 통해 상기 실리콘기판을 식각하여 실리콘 나노구조체를 형성하는 단계; 및
상기 형성된 실리콘 나노구조체를 상기 실리콘기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는, 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법.

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